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CVD技术和工作原理分析
发布时间:2014-12-01 浏览:3732 次

  一般把反应物是气态而生成物之一的固态的反应称为CVD反应,CVD技术原理是建立在化学反应基础上的。

  目前常用的CVD沉积反应一般有以下几种原理。

  1、热分解反应

  2、氢还原反应

  3、置换或合成反应

  4、化学输运反应

  5、固相扩散反应

  CVD技术的优点主要包括以下几个方面:

  1、应用范围广

  2、成膜速度快

  3、工作是在低真空条件下进行的,因此镀膜的绕射性好,在形状复杂,如有深孔,细孔的工件上都能均匀镀膜。

  4、由于反应气体、反应产物和基片的相互扩散,可以得到附着强度好的镀膜,这对于制备耐磨、抗腐蚀等表面强化膜是很重要的。

  5、由于薄膜生长的温度比膜材的熔点低得多,因此能得到高纯度、结晶完全的膜层,这是某些半导体用镀层所必需的。膜层纯度高,结晶完全是由于低温生长,反应气体和反应器壁以及其中所含不纯物几乎不发生反应,对膜层玷污少等原因所致。

  6、CVD可以获得平滑的沉积表面。在沉积过程中成核率高,成核密度大,在整个平面上分布均匀,从而可产生宏观平滑的表面。

  7、辐射损伤低,这是制造MOS(金属氧化物半导体)等器件不可缺少的条件。

  CVD技术的一些缺点主要有:

  1、有时参加沉积的反应物及反应后的气体易燃、易爆、有毒或具有腐蚀性,因此需要采取预防措施。2、欲对基材 局部或某个表面沉积薄膜很困难,3、反应温度高,一般为1000摄氏度左右。

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